特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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锡华科技实控人胞妹突击入股自抬身价？9个月估值激增45亿元欲上市募资20亿 “清仓式分红”踩最新监管红线

北京 - 锡华科技（000980.SZ）近日披露，公司实控人周锡武的胞妹周晓红于今年3月至5月间突击增持公司股份，累计增持比例达5.09%，引发市场猜测。有分析认为，周晓红此举或为配合公司上市计划，通过抬高公司估值来套现。

估值激增45亿元

锡华科技是一家从事电子元器件研发、生产和销售的高新技术企业。2023年，公司实现营业收入50.2亿元，同比增长28.5%；实现归属于上市公司股东的净利润5.8亿元，同比增长33.6%。

然而，公司近期的估值却出现大幅上涨。截至2024年6月17日，锡华科技的市值为115.9亿元，相比9个月前的2023年9月30日，暴增了45亿元。

拟上市募资20亿

锡华科技的快速升值背后，是其积极推进上市的步伐。公司于2023年11月向证监会递交了上市申请，并于今年3月获得受理。

根据招股说明书，锡华科技本次拟发行不超过2.5亿股新股，募集资金总额不超过20亿元。募集资金将主要用于公司智能制造项目、研发中心建设项目、营销网络建设项目等。

“清仓式分红”踩红线

值得注意的是，在拟上市之际，锡华科技还宣布了2023年度现金分红方案，拟以每股派发现金红利1.8元，合计派发现金红利4.5亿元。这一分红比例高达80%，被市场称为“清仓式分红”。

业内人士指出，高额分红可能涉嫌抽逃上市公司资金，违反监管红线。证监会此前曾发文强调，要严厉打击上市公司通过高额分红、大额现金收购等方式转移资产、抽逃资金的行为。

疑云重重

周晓红突击入股、公司估值暴增、高额分红等一系列事件，引发市场对锡华科技上市动机的质疑。有分析认为，公司可能存在财务造假、关联交易等问题，通过上市来套现。

对此，锡华科技方面尚未作出回应。

后续关注

锡华科技的上市之路能否顺利推进，还有待监管部门的审核。投资者应谨慎投资，关注后续事态发展。